长电科技完成 1.5μm 小孔径 11.3:1 高深宽比 TSV（硅通孔）试制
8 月 19 日消息，长电科技 (JCET) 今天宣布该公司与合作伙伴共同完成。 1.5μm 小孔径 17μm 深度的 11.3:1 高深宽比 TSV(硅通孔)试制。
长电科技本次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层沉积、种子层沉积、铜添加等关键工艺进行。与大孔径相比 1.5的TSV结构μm 对于深硅刻蚀精度、孔壁介质层和金属层覆盖、无缺陷铜添加等，小孔径提出了更高的要求。
这次样品试制的成功表明，长电科技拥有行业领先的小孔径和高深宽比 TSV的技术研发和协同验证能力进一步拓展了公司在晶圆级先进封装和硅基互连领域的R&D边界，进一步开拓 TSV、再走线 (RDL) 探索完整的硅中介层及相关晶圆级工艺。 (Si Interposer) 研究与开发的基础是制备能力。
就应用方向而言，高深宽比 TSVR&D能力可以重点支持两种高档先进封装场景。一个是 3D 通过在下层晶圆或芯片中进行堆叠集成 TSV，实现芯片之间的垂直电气连接。另一种是硅基互连结构，如硅中介层，通过与再走线、微凸点、晶圆级封装等工序协同工作。 2.5D 集成，多芯粒连接，高带宽存储集成，提供关键技术支持。
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